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Forschung

 

   letzte Änderung: Dezember 2006 English
Ziel der Forschungsarbeiten an unserem Institut ist es, neue Materialien, Bauelemente und Systeme mit bisher nicht realisierter Funktionalität zu entwickeln. Hierzu steht eine moderne Infrastruktur bezüglich Halbleiter-Epitaxie und -Prozessierung zur Verfügung. 

Unsere Schwerpunkte: 

  • Halbleiter mit großem Bandabstand (ZnO und SiC)
  • Heteroepitaxie
  • Mikromechanik
  • Nanotechnologie
  • Spinelektronik

Publikationen 

Dissertationen.


Die komplette technologische Ausrüstung, die zur Herstellung dieser Komponenten notwendig ist, befindet sich in Reinräumen von ca. 120 m² Grundfläche (Klasse 10000 und über den Arbeitsbänken Klasse 100):
  • MOVPE-Anlage für InGaAsP (Metall-organische Gasphasen-Epitaxie, rechts)
  • MOVPE-Anlage für ZnO 
  • MBE-Anlage für oxidische Halbleiter (Molekularstrahl-Epitaxie, rechts unten)

Aufdampfanlage

  • Aufdampfanlage mit Elektronenstrahl-Verdampfer (oben) für Metalle und Isolatorschichten
  • Plasma-Ätzanlage (inductively coupled plasma)
  • Diffusions- und Oxidationsöfen für die Silizium-Technologie
 MOVPE-Anlage
MBE-Anlage für ZnO
  • optische Photolithographie (Masken-Justier- und Belichtungsgerät, kleinsten Strukturen:  1,5 µm, unten)
  • eigene Maskenherstellung
  • Mustergenerator (pattern generator)
  • step-and-repeat camera (rechts)


Lithographie

Maskenherstellung

Einige der Technologie-Prozesse werden auch im Rahmen von Lehrveranstaltungen (praktischen Übungen) eingesetzt. Damit können Studierende ihre eigenen Schaltungen entwickeln und testen.
Zusätzlich stehen Anlayseverfahren zur Verfügung, um Halbleiterschichten, Bauelemente, Schaltungen und Systeme detailliert zu untersuchen:
  • Rasterelektronenmikroskopie (REM) mit Röntgenmikrosonde (EDX)
  • Rasterkraftmikroskopie (AFM)
  • Photolumineszenz / Reflexion
  • Solarzellen-Messplatz
  • van-der Pauw / elektrische Charakterisierung
  • Analyse tiefer Störstellen (DLTS)
  • Vibrationsanalyse